例如,安森美半导体1200 V、15 A的一款SiC二极管,雪崩电流接近200 A (3500 A/cm2),8.2 ms 脉冲可以承受158 A (>10倍 额定值) 非破坏性的浪涌电流,33 µs 脉冲可以承受740 A更高的浪涌电流,而小很多的电流将会使一个平面肖特基二极管发生故障。我们在85C/85% RH的高温度/湿度/偏置VCE=960V的测试条件下进行了对比测试,结果显示,竞争SiC器件(1200V、8A)在168小时后发生故障,而安森美半导体SiC器件(1200V, 10A)通过了1000小时的测试,可见安森美半导体的SiC二极管的可靠性更高。
表1. 安森美半导体的650 V SiC二极管
表2. 安森美半导体的1200 V SiC二极管
其中,FFSHx0120和FFSHx065是符合AEC-Q101车规的汽车级SiC二极管,能在恶劣的电气环境中可靠地工作,为汽车应用带来能效、性能、功率密度等多方面的显著优势。
SiC MOSFET门极驱动器用于高性能的工业逆变器和电机驱动器
SiC MOSFET有独特的门极驱动要求。安森美半导体的NCP51705 是经优化的SiC MOSFET门极驱动器,具备高度的灵活性和集成度,能高效、可靠地驱动市场上任何SiC MOSFET。峰值输出电流高达6 A,正额定电压可扩展,集成负压充电泵,能提供-5 V驱动电压,可调的欠压保护(UVLO),退饱和(DESAT)检测短路保护,过热关断保护。NCP51705支持设计人员根据需求进行调试,具有简单的BoM,无需额外的DC-DC电路,提供负压实现快速关断,采用4 mm x 4 mm QFN24的极小封装,适用于工业逆变器、电机驱动、高性能功率因数校正(PFC)、AC-DC及DC-DC转换器。图2所示为SiC MOSFET门极驱动器NCP51705的典型线路图。
图2:典型的半桥隔离门极驱动电路
SiC MOSFET门极驱动器要点包括:
● 类似于传统的硅MOSFET驱动器, 在开关时提供高峰值电流,以对CGS和CGD电容快速充放电
●为实现最低的RDS(ON,在导通时间内需要提供20V至22V 门极驱动电压
● 为实现最快的关断速度和在关态期间不受dV/dt 影响,在关断期内驱动器应将门极拉至 约-5V
●通过使用低电感封装或共同封装来减轻驱动或开关时源电感的负反馈效应,如漏感引起的振荡、干扰等
安森美半导体提供宽禁带生态系统
为加速设计,安森美半导体提供一个重点围绕宽禁带方案的独一无二的生态系统,包括SiC、GaN、门极驱动、创新的封装和先进的仿真工具SPICE模型。该SPICE模型直观、准确、具预测性,支持系统级仿真,设计人员可有把握地仿真数据表中未涵盖的工作条件,从而提前在仿真过程进行评估,加快开发流程。该SPICE模型还可连接到多种行业标准的仿真平台端口。
总结