当前位置: 首页 » 技术方案 » 解决方案 » 电子行业 » 正文

功率器件的I-V/C-V 特性测试方案


  来源: 东方中科 时间:2018-11-30 编辑:思杨
分享到:



直流I-V 测试是表征微电子器件、工艺及材料特性的基石。通常使用I-V 特性分析,或I-V 曲线,来决定器件的基本参数。新材料和器件对I-V 测试设备提出了更高的需求,要求具备更低的测试分辨率,更宽的功率范围,具备四象限操作能力,以及更快的测试速度等。交流C-V 测试可以揭示材料的氧化层厚度,晶圆工艺的界面陷阱密度,掺杂浓度,掺杂分布以及载流子寿命等,通常使用交流C-V 测试方式来评估新工艺,材料,器件以及电路的质量和可靠性等。交流C-V 测试要求测试设备满足宽频率范围的需求,同时连线简单,系统易于搭建,并具备系统补偿功能,以补偿系统寄生电容引入的误差。

进行C-V 测量时,通常在电容两端施加直流偏压,同时利用一个交流信号进行测量。一般这类测量中使用的交流信号频率在10KHz 到10MHz 之间。所加载的直流偏压用作直流电压扫描,扫描过程中测试待测器件待测器件的交流电压和电流,从而计算出不同电压下的电容值。

 

 

功率器件 IV、CV 特性测试方案,提供I-V 和C-V综合测试解决方案,10fA 的DC 测量精度, 高达10MHz 的C-V 测试频率。在C-V 测试方案中,同时集成了美国吉时利公司源测量单元(SMU)和溪谷科技针对CV 测试设计的专用精密LCR 分析仪,既可以在低频范围内完成功率器件的准静态C-V 测试,也可以进行高达10MHz 的高频C-V 测试。

 

 

MOS 电容的准静态C-V 特性测试方案

系统结构

系统主要由两台源表、四寸探针台和上位机软件组成,主要用于低频率(10Hz 以下) C-V 特性测试。

 

 

在测试中,一台源表对待测件的一端输出恒定电流,并测量电压值记录时间。另一台源表用于测量待测件另一端的电流值。

通过使用公式 I = C * dV/dt,或者 C = I / (dV/dt),可以计算出相应的电容值。这种方式适用于在 0.1 ~1V/s 的电压斜率下测量 100 ~ 400pF 电容值。

 

MOS 电容的高频 C-V 特性测试方案

系统结构

系统主要由源测量单元、LCR 表、探针台和上位机软件组成。LCR 表通常支持的测量频率范围在30MHz以内。源测量单元或电源负责提供可调直流电压偏置。

LCR 表测试交流阻抗的方式是在 HCUR 端输出交流电流,在 LCUR 端测试电流,同时在 HPOT 和 LPOT端测量电压值。电压和电流通过锁相环路同步测量,可以精确地得到两者之间的幅度和相位信息,继而可以推算出交流阻抗参数。

 

关键词:功率器件 测试方案 精度测量    浏览量:3766

声明:凡本网注明"来源:仪商网"的所有作品,版权均属于仪商网,未经本网授权不得转载、摘编使用。
经本网授权使用,并注明"来源:仪商网"。违反上述声明者,本网将追究其相关法律责任。
本网转载并注明自其它来源的作品,归原版权所有人所有。目的在于传递更多信息,并不代表本网赞同其观点或证实其内容的真实性,不承担此类作品侵权行为的直接责任及连带责任。如有作品的内容、版权以及其它问题的,请在作品发表之日起一周内与本网联系,否则视为放弃相关权利。
本网转载自其它媒体或授权刊载,如有作品内容、版权以及其它问题的,请联系我们。相关合作、投稿、转载授权等事宜,请联系本网。
QQ:2268148259、3050252122。


让制造业不缺测试测量工程师

关注仪商网公众号

0条 [查看全部]  发表评论

最新发布
行业动态
技术方案
国际资讯
仪商专题
按分类浏览
Copyright © 2000- 861718.com All rights reserved 版权所有 © 星球国际资讯集团 广州德禄讯信息科技有限公司
本站转载或引用文章涉及版权问题请与我们联系。电话:020-34224268 传真: 020-34113782