相关成果在Appl.Phys.Lett.114,021102(2019)发表后立刻被国际著名《化合物半导体，Compound Semiconductor 2019年第2期》长篇报道，指出：“该单模激光器开创性提升边模抑制比，为天基卫星载LIDAR系统和气体检测系统提供了有竞争力的光源器件”。在锑化物量子阱大功率激光器方面，研究团队创新采用数字合金法生长波导层等关键技术，研制成功2μm波段的InGaSb/AlGaAsSb应变量子阱大功率激光器，其单管器件的室温连续输出功率达到1.62瓦、巴条(线阵)激光器组件的室温连续输出功率16瓦，综合性能达到国际一流水平并突破国外高功率半导体激光器出口限制规定的性能条款。相关成果被选为Chin. Phys. B. 28(1), (2019)封面文章。
GaSb基InGaAsSb晶格匹配异质结量子阱的能带带隙可调范围覆盖了1.8μm～4.0μm的短波红外区域，与该波段的其它激光材料体系相比，其在研制电直接驱动下高光电效率的激光器方面具有独特的优势。
近年来，随着锑化物多元素复杂低维材料分子束外延技术的不断进步，国际上锑化物半导体相关的材料与光电器件技术创新发展十分迅速。上述锑化物半导体激光器研究成果突破了短波红外激光器技术领域长期“卡脖子”的核心技术，将在危险气体检测、环境监测、医疗与激光加工等诸多高新技术产业发挥不可替代的重要价值。
该项目研究工作先后达到国家973重大科学研究计划课题2013CB942904、2014CB643903、国家自然科学基金委重大项目61790580和重点项目61435012等的资助。
