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中科院半导体所锑化物半导体量子阱激光器研究获得重要进展

在危险气体检测、环境监测、医疗与激光加工等产业发挥不可替代作用


  来源: 中科院半导体所 时间:2019-05-06 编辑:马致远
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最近,中科院半导体研究所超晶格国家重点实验室牛智川团队在锑化物半导体单模和大功率量子阱激光器研究方面取得新突破。

金属光栅侧向耦合分布反馈(LC-DFB)量子阱单模激光器实现2μm波段高边模抑制比(53dB)下的高功率(>40mW)室温连续输出。FP腔量子阱大功率激光器单管和巴条组件分别实现1.62瓦和16瓦的室温连续输出功率,一举突破高端激光器进口限制性能的规定条款。


CPB文章中大功率线阵激光器功率图

牛智川研究团队近年来在国家973重大科学研究计划、国家自然科学基金委重大项目及重点项目等的支持下,深入研究了锑化物半导体的材料基础物理、异质结低维材料外延生长和光电器件的制备技术等,系统性掌握了锑化物量子阱、超晶格低维材料物理特性理论分析和分子束外延生长方法,在突破了锑化物量子阱激光器的刻蚀与钝化等核心工艺技术基础上,创新设计金属光栅侧向耦合分布反馈(LC-DFB)结构成功实现了2μm波段高性能单模激光器,边模抑制比达到53dB是目前同类器件的最高值,同时输出功率达到40mW是目前同类器件的3倍以上。

关键词:基础研究 半导体 科技创新    浏览量:3395

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