【仪器仪表商情网 前沿技术】一般地,EEPROM存储器(如93C46/56/66系列)的擦写次数为10万次,超过这一极限时,该单元就无法再使用了。但在实际应用中，可能有些数据要反复改写。这时，可通过变址寻址的方式来突破EEPROM存储器的擦写寿命极限。
我们有一个单字节的数据要保存在E2PROM(93C56)中，可按以下方法来做：
1、将93C56的00H单元定义为地址指针存放单元。
2、将要寻址的单元地址(假设为01H)放入93C56的00H地址中。
3、每次要对E2PROM中的数据进行读写时，先读取00H中的数据，并以读出的值为地址，访问其指向的单元。
4、在每次写完数据后，立即将数据再读出，并与写入的地址做比较。
A、如果相等，则代表本次写入数据成功。
B、如果不相等，则代表本次写入数据失败。这时，将00H中的值+1，让其指向后一个新的地址单元，再将数据写入新的地址单元。
