英特尔10纳米晶圆 业内最高的晶体管密度
发布日期:2017-09-20 11:05
2017年9月19日,“英特尔精尖制造日”活动在北京举行。英特尔公司执行副总裁兼制造、运营与销售集团总裁Stacy Smith全球首次展示“Cannon Lake”10纳米晶圆,它拥有世界上最密集的晶体管和最小的金属间距,从而实现了业内最高的晶体管密度,领先其他“10纳米”整整一代,以时间来算,则领先3年时间。
晶圆是制造半导体芯片的基本材料,由于其形状为圆形,故称为晶圆。
对于竞争对手三星、台积电等公司,英特尔直言不讳地称自身技术上具有领先性。英特尔将10纳米技术密度进行了对比,英特尔称在栅极间距、最小金属间距间技术指标上都处于领先地位。
近几年,“摩尔定律失效”是近两年来业界讨论的热门话题。随着硬件制程工艺在物理层面越来越接近极限,摩尔定律所诠释的“当价格不变时,集成电路上可容纳的元器件的数目,约每隔18-24个月便会增加一倍,性能也将提升一倍”的规律逐渐被打破,使得人们对摩尔定律在未来所产生的指导意义产生强烈怀疑。
不过,在英特尔看来,摩尔定律本意并非是某种严格的定律,它其实描述的是一种经济规律。摩尔定律所描述的内容看似与时下的硬件发展趋势越来越背离,但其实在诸多经济领域中,摩尔定律同样具有指导性的作用。
9月19日面对媒体的发布会上,英特尔称所掌握的超微缩技术将为摩尔定律正名,可以继续提升晶体管密度和降低单位成本,从而继续把摩尔定律向前推进。
- 关键词:晶圆 半导体 芯片 三星 台积电
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