5分钟就能形成几厘米见方的高品质石墨烯技术
美国加州理工学院（California Institute of Technology，简称Caltech）的研究人员开发出了室温下只需5分钟就能在铜（Cu）箔上形成几cm见方高品质石墨烯的技术，并在学术杂志“Nature Communications”上发表了论文。这项技术可能会给太阳能电池、显示器的的透明电极、燃料电池的氢离子渗透膜、高品质隔离膜以及柔性电子整体带来很大的影响。
此次的技术是CVD法的一种，工艺温度为室温，而且只需约5分钟就能形成几cm见方的高品质石墨烯。具体方法是首先用氢等离子体来清洁铜箔的表面。然后，向其中加入碳源。
由此获得的石墨烯面积大、而且缺陷非常少，其载流子迁移率在合成制作的石墨烯中属于最高水平。
此次技术能够获得高品质石墨烯的理由主要有三个。第一个理由是由氢等离子体将铜箔上的氧化铜还原并去除掉。据Caltech科研人员（Staff Scientist）David Boyd介绍，因实验差错在过度加热的铜箔上形成了高品质的石墨烯，由此才发现了此次的工艺。
第二个理由是氢等离子体与CVD真空腔内残留的氮气发生反应，形成了化学活性较高的分子——氰自由基（Cyano Radical），可以彻底地清洁铜箔。
第三个理由是由于采用室温工艺，铜箔没有出现膨胀收缩。如果是采用高温工艺的CVD法，在降温过程中，铜箔以及配备铜箔的基板无可避免地会出现收缩。此时，好不容易形成的高品质石墨烯也会出现缺陷。一直采用室温的话，就不会出现这些问题。
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