7月30日，中国科学院半导体研究所曝出仪器设备采购需求，将以903万的价格采购两台等离子设备。两台设备分别为厚氮化硅感应耦合等离子体化学气相沉积台和硅基铌酸锂薄膜电感耦合等离子刻蚀机。前者用于光波导器件表面的氧化硅及氮化硅薄膜淀积，适用于波导器件中包层薄膜的沉积。后者用于坚硬材料刻蚀形成波导，专为刻蚀铌酸锂材料研发，也可刻蚀氧化硅等材料。
项目名称：2019年中国科学院半导体研究所科研仪器设备采购项目（第三批）
项目编号：OITC-G190330983
采购单位联系方式：
采购单位：中国科学院半导体研究所
地址：北京市海淀区清华东路甲35号
联系方式：010-82304941/010-82304907
代理机构联系方式：
代理机构：东方国际招标有限责任公司
代理机构联系人：010-68290507
代理机构地址：北京市海淀区清华东路甲35号
采购详情如下：
各设备工艺技术规格详情：
厚氮化硅感应耦合等离子体化学气相沉积台
(1)氧化硅薄膜沉积
(2)氮化硅薄膜沉积
硅基铌酸锂薄膜电感耦合等离子刻蚀机
（1） 铌酸锂刻蚀工艺
（2） 氧化硅刻蚀工艺
