4.多晶硅电池组件和单晶硅电池组件的最低光电转换效率分别不低于16%和16.8%。
5.硅基、铜铟镓硒(CIGS)、碲化镉(CdTe)及其他薄膜电池组件的最低光电转换效率分别不低于8%、13%、12%、10%。
6.含变压器型的光伏逆变器中国加权效率不得低于96%,不含变压器型的光伏逆变器中国加权效率不得低于98%(单相二级拓扑结构的光伏逆变器相关指标分别不低于94.5%和96.8%),微型逆变器相关指标分别不低于94.3%和95.5%。
(五)新建和改扩建企业及项目产品应满足以下要求:
1.多晶硅满足《硅多晶》(GB/T12963)2级品以上要求。
2.多晶硅片(含准单晶硅片)少子寿命大于2.5μs,碳、氧含量分别小于8和6PPMA;单晶硅片少子寿命大于11μs,碳、氧含量分别小于1和16PPMA。
3.多晶硅电池和单晶硅电池的最低光电转换效率分别不低于19%和21%。
4.多晶硅电池组件和单晶硅电池组件的最低光电转换效率分别不低于17%和17.8%。
5.硅基、CIGS、CdTe及其他薄膜电池组件的最低光电转换效率分别不低于12%、14%、14%、12%。
(六)多晶硅电池组件和单晶硅电池组件衰减率首年分别不高于2.5%和3%,后续每年不高于0.7%,25年内不高于20%;薄膜电池组件衰减率首年不高于5%,后续每年不高于0.4%,25年内不高于15%。
三、资源综合利用及能耗
(一)光伏制造企业和项目用地应符合国家已出台的土地使用标准,严格保护耕地,节约集约用地。
(二)光伏制造项目电耗应满足以下要求:
1.现有多晶硅项目还原电耗小于60千瓦时/千克,综合电耗小于100千瓦时/千克;新建和改扩建项目还原电耗小于50千瓦时/千克,综合电耗小于80千瓦时/千克。
2.现有硅锭项目平均综合电耗小于8.5千瓦时/千克,新建和改扩建项目小于7千瓦时/千克;如采用多晶铸锭炉生产准单晶或高效多晶产品,项目平均综合电耗的增加幅度不得超过0.5千瓦时/千克。
3.现有硅棒项目平均综合电耗小于45千瓦时/千克,新建和改扩建项目小于40千瓦时/千克。
4.现有多晶硅片项目平均综合电耗小于45万千瓦时/百万片,新建和改扩建项目小于40万千瓦时/百万片;现有单晶硅片项目平均综合电耗小于40万千瓦时/百万片,新建和改扩建项目小于35万千瓦时/百万片。
5.电池项目平均综合电耗小于9万千瓦时/MWp。
6.晶硅电池组件项目平均综合电耗小于6万千瓦时/MWp;薄膜电池组件项目平均电耗小于50万千瓦时/MWp。
(三)光伏制造项目生产水耗应满足以下要求:
1.多晶硅项目水循环利用率不低于95%;