接下来考虑FET的栅极电容，因为它会与偏置电阻一起形成一个低通滤波器。击穿电压较高的FET往往具有较高的栅极电容，而且偏置电阻往往为100 kΩ，因此不需要多少栅极电容就能显著降低电路的速度。从制造商的数据手册中获得栅极电容值，计算RTOP和RBOT并联组合所形成的极点频率。
偏置网络的频率响应必须始终快于输入和输出信号，否则放大器的输出可能超出其自身的电源范围。暂时偏离到放大器电源轨之外会有损坏输入的风险，而暂时饱和或压摆受限会有造成输出失真的风险。任何一种状况都可能导致负反馈暂时丢失和不可预测的瞬态行为，甚至可能因为某些运算放大器架构中的相位反转而闩锁。
性能
直流线性度
图2显示了增益误差与输入电压的关系(直流线性度)，增益为20，电源为±140 V。
图2.增益误差与输入电压的关系
压摆率
图3显示了压摆率曲线，增益为20，电源为±140 V，测量值为20.22 V/μs。
图3.压摆率
实现更高速度的权衡
功耗
如前所述，工作电压较高时，FET的击穿电压(和相关的栅极电容)以及电阻值也必须较高。较高的电阻和电容值都会造成带宽降低，唯一可用的调整因素是电阻值。降低电阻值会提高带宽，但代价是功耗增加。空间低阻值、高功率的电阻尺寸较大，需占用较多电路板空间。以电容的形式在RBOT上增加一些引线补偿可以改善电路的频率响应。此电容与RBOT和RTOP电阻形成一个零点，抵消FET栅极电容所形成的极点。极点和零点相消，因此可以选择更高阻值的电阻，从而降低直流功耗。
结论
在需要较高电压但使用典型高压运算放大器不经济的应用中，常常会让常规运算放大器自举。自举有其优点和缺点。还有一个选择，ADHV4702-1提供一种高达220 V的精密高性能解决方案，无需自举。但是，当信号范围要求超过220 V时，该器件可以自举以处理超过标称信号范围两倍以上的电压，同时提供比自举低压放大器更高的性能。
参考文献
Grayson King和Tim Watkins。“通过运算放大器自举产生宽电压摆幅”，EDN杂志，1999年5月13日。维基百科，“自举”，2018年9月1日。
