工程实践中常见的一个现象是：高压分压电路中，在低压下校准无误，一旦进入数百伏以上的高压区，测量值会出现正向偏差，且随电压升高而加剧。
该偏差的根源并非电阻的耐压不足，而是其漏电流（数值化体现为电压系数VCR）所导致的阻值漂移。
在高压条件下，电阻体中陶瓷等基体在强电场作用下发生介质极化，同时材料内部的微量可移动离子杂质形成与主电阻并联的漏电通道。根据总电流 = 主电流 + 漏电流，等效电阻 = U / I_total，因此等效电阻下降。一般地，普通厚膜高阻值电阻的VCR约在10 ppm/V至25 ppm/V范围，HVC系列高压厚膜电阻的VCR可降至0.1ppm/V，当然HVC系列电阻价格不便宜。
在高压精密仪器X100高压无源探头测试电压1kV实验中，高压分压电阻我们采用耐压3kV的普通厚膜100M单颗电阻与耐压1kV的5颗普通厚膜20M电阻做对比，结果发现，采用5颗20M电阻串联比采用单颗100M的电路高压性能更好。原因有以下：
在热稳定方面，单颗100M电阻在1kV下的功耗P=R=1000000/100000000=10mW;而5颗串联20M的电阻功耗只为单颗的1/5，其发热量更小，温度升高引起的阻值漂移更小。
在电场强度方面，5颗串联的电阻比单颗电阻电场强度更低，漏电流更小；假设采用的都是VCR为25ppm/V的普通厚膜电阻，对于单颗100M电阻在1kV中VCR=25ppm/V×1kV=2.5%，说明在1kV时，100M电阻阻值漂移了2.5%，即为97.5M；而对于5颗20M电阻在1kV时，单颗分压仅为200V，VCR=25pppm/V×200V=0.5%，20M电阻阻值漂移了0.5%，即为19.9M，最终串联总阻值为99.5M，更加接近100M。
不同的高压应用，对高压电阻的选型核心指标不同。如
综上，对于不同高压应用，对高压电阻的选型指标不一样。对于高压精密仪器来说，高压电阻除了耐压值，还需要着重考虑电压系数。安全起见，耐压值至少要为测试最大电压的2倍；根据要测试的最大电压以及要求精度，选择合适的低VCR电阻；还可采用多个电阻串联，这一方法要考虑每个电阻分压均衡问题，要选择更低精度的电阻。
