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豪赌?一众模拟芯片大厂大刀阔斧进行扩产和投资


  来源: 半导体行业观察 时间:2022-02-11 编辑:仪器仪表WXF
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在2021年第四季度财报会上,意法半导体表示,目前公司积压的订单能见度为18个月左右,远高于ST目前及已经规划的2022年产能。而且今年的车用芯片产能已经销售一空。今年意法半导体的资本支出计划将达到约34亿至36亿美元,较2021年的18亿元投资增加近一倍,主要用于进一步提高产能,其中包括在意大利Agrate 12英寸新晶圆厂建设第一条生产线。


2021年7月,意法半导体宣布,其瑞典北雪平工厂制造出首批200mm (8英寸)碳化硅(SiC)晶圆片,这些晶圆将用于生产下一代电力电子芯片的产品原型。据意法半导体所称,与 150mm晶圆相比,200mm晶圆可增加产能,将制造集成电路可用面积几乎扩大1 倍,合格芯片产量是150mm晶圆的1.8 -1.9倍。


恩智浦封测厂投产

2021年9月,恩智浦半导体(天津)集成电路测试中心一期改造项目竣工投产,该中心主要进行封装测试。该封测公司是2015年恩智浦从飞思卡尔手中收购得来,经过多年的发展,其封装测试工厂生产能力已接近饱和,没有足够的生产空间来进一步引进新的生产设备,形成工厂的产能规模,承接未来新产品的生产。


除此之外,去年中旬,据国外媒体报道,芯片代工厂商联华电子宣布将于全球多家客户携手,扩充12A厂产能,参与的客户将以议定价格预先支付订金,确保获得扩充后的长期产能。其中,恩智浦已同联华电子达成6年芯片代工协议。


安森美发力新策略

去年,安森美改名,确立了公司的新战略:智能电源和智能感知。由传统IDM模式向更加灵活的Fab-Liter模式转型,将采取更加灵活的制造路线和策略,未来会退出规模不足的晶圆厂、聚焦300mm晶圆产能,并将提高通用封装后端厂的灵活性。


2021年Q2的财报显示,安森美营收的6%用作了资本投入。安森美表示,未来两年将加大投资力度,由6%增加到12%,主要用于扩产300mm晶圆厂的产能,再一个是加强SiC供应链环节,包括基板沉底等最终产品,以及封装。而在2021年第四季度财报电话会议上,安森美表示,计划到2022年将其基板业务产能增加四倍以上,并打算进行大量投资以扩大其设备和模块产能。到2022年,安森美预计其碳化硅收入将同比增长一倍以上。


此外,去年8月,安森美宣布以4.15亿美元现金收购SiC生产商GT Advanced Technologies,并计划投资扩大GTAT的研发工作,以推进150mm和200mm SiC晶体生长技术。


Microchip 4000万美元升级工厂

2022年1月,Microchip宣布计划斥资4000万美元用新技术改造其科罗拉多斯普林斯半导体工厂,这将在未来六个月内增加50至75 名员工,它将为工厂购置安装新设备,由原本6英寸晶圆转向8英寸晶圆的生产,这将使其可以生产的芯片数量几乎翻倍。公司计划在未来六个月内继续招聘超过 50-75人,并在未来两到五年内进行另一阶段的扩张。


瑞萨车载MCU产能提高50%

瑞萨是世界车规级半导体龙头,在车用MCU领域掌握全球两成份额。2021年9月29日,瑞萨电子在经营说明会上透露,计划到2023年将车载MCU产能提高50%以上(较2021年),同时将提高设备投资金额,预计到2021年将超过800亿日元,到2022年将在600亿日元左右,该公司目前的设备投资金额约200亿日元。


东芝投入5700亿日元

2022年2月8日,东芝召开了关于两家公司分拆后可能的经营战略的简报会。会议中指出,为了应对全球半导体供应短缺和存储需求扩大的措施,将促进产能扩大和稳定采购网络的建设,东芝将在5年内投入5700亿日元进行资本投资和研发。


产能方面,2021年至2025年将投资约2600亿日元。主要投资包括功率半导体用200mm线的扩建、2022 年2月4日宣布的日本石川县新建300mm线的建设、现有建筑物的运营推进、化合物半导体用200mm线的开发计划。此外,东芝还计划在菲律宾基地增加近线硬盘的产量,在中国建立硬盘基地,并扩大其横滨工厂的半导体制造设备制造空间。


在构建稳定的采购网络方面,东芝强调,半导体80%的材料都签订了长期合同,多方采购比例提高到70%以上。


到2025年,研发费用计划约为3100亿日元。主要在半导体、HDD和半导体制造设备三大业务上加大研发。


在半导体领域,东芝的整个半导体业务目标是将销售额从预计在 2021年的3200亿日元增加到 2025年的3700 亿日元。东芝计划专注于车载和工业应用的功率半导体,在重点关注的功率 MOSFET方面,东芝计划到2025年从第四的全球份额升到第三。


其中,仅功率半导体的研发,计划在五年内投资1000亿日元,用来扩大硅功率半导体产品阵容、开发高效封装、加速开发SiC和GaN产品等。公司目前主打的硅功率MOSFET是第8代,第9代导通电阻降低15%,第10代比8代降低了30%,正在开发第11代,比第8代导通电阻降低了40%,并且将在2023 年之前将硅功率 MOSFET产品数量翻一番。公司车载硅IGBT目前正在量产耐压750V和1.2kV的产品,为了提高逆变器特性,2022年开始量产集成二极管和IGBT的新产品。第二代二极管集成产品将在300mm线上生产,2026年开始量产。


关键词:模拟芯片 大厂 扩产投资    浏览量:17835

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