同时东芝计划在2024年量产车载充电器用SiC MOSFET产品。在GaN器件的研发上，东芝计划在2023年开始提供结合GaN和硅功率MOSFET的产品。据说与硅器件相比，该产品可将损耗减少一半。据悉，东芝的仅用GaN实现高速开关，电源单元体积比硅缩小约60%的第二代产品正在开发中。
另一项加大研发的业务是近线硬盘HDD，开发新HDD型号，该业务市场对数据中心/云服务提供商的需求正在扩大，预计2021年至2030年的复合年增长率将达到 22%。东芝计划在2023年完成一台30T字节的机器，目标是未来35TB以上的记录容量。
再就是在半导体制造设备上的布局，东芝将专注于电子束掩模光刻设备和外延生长设备。据悉，东芝的NuFlare Technology作为单束机中20纳米以下先进节点的电子束掩模光刻系统拥有100%的市场份额。多光束机“MBM-2000”于2021年交付给客户，计划到2023年占据50%的市场份额。此外，东芝正在开发一种新的电子源，以获得更高的电流和更高的亮度，用于支持2nm，希望在2023年底前开始出货，以满足客户的发展路线图。
在外延生长设备方面，东芝预计市场增长将受到xEV、下一代通信标准中使用的SiC、GaN功率半导体的快速增长以及直径增加到200 mm晶圆的推动。该公司的SiC和GaN外延生长设备是一种独特的方法，使气体垂直向下均匀地流向反应器中高速旋转的晶片，具有低缺陷密度、高均匀性和在薄膜上高速成膜的特点表面。
写在最后
当下的供应短缺没有短期解决办法，而稳定的晶圆产能供应无疑是模拟芯片厂商接下来的竞争点。但扩张之后，在某个时间点，他们产品会太多，如果短缺或涨价的周期在某个时候结束，模拟芯片厂商们也应当要为此做好准备。
