（一）产品概述
1．磁传感器的定义和分类
磁传感器是一种能够将磁场的大小与变化转换为电信号的装置。本报告涉及的磁传感器均为基于硅上工艺的传感器，按原理分为霍尔（Hall）传感器和磁阻传感器两类。
霍尔传感器主要利用霍尔效应，即当电流垂直于外磁场通过半导体时，垂直于电流和磁场的方向会产生附加电场，从而在半导体的两端产生电势差，来检测磁场的强度。
霍尔传感器分类如下：
磁阻传感器主要是在器件内构造薄膜，即给通以电流的材料加以与电流垂直或平行的外磁场，其电阻值会有所增加或减少。通过应用上述物理效应，磁阻传感器芯片能够精确测量电流、位置、方向、角度等物理信号。磁阻传感器按不同原理可分为各向异性磁阻（AMR）传感器、巨磁阻（GMR）传感器和隧穿磁阻（TMR）传感器。
不同技术的磁传感器部分技术参数如下：
2．技术及趋势
霍尔技术于上世纪50年代开始发展，首个霍尔传感器于1960年代问世。随着CMOS等集成电路工艺的发展，霍尔传感器以其原理简单和制造成本低的优势，快速成为低成本磁场感测的主流传感器，目前已成为市场上份额最大的磁传感器芯片，在中国市场占有约69%的份额。但霍尔传感器在实际应用中也存在一些缺点，例如需要集成聚磁环结构来改变感应方向等。在此背景下，基于磁阻效应的磁传感器逐渐受到关注。
磁阻效应早在1857年就被发现和验证，但受限于薄膜技术的发展，其商业化进展相对滞后。随着IBM突破磁性薄膜技术的量产门槛，AMR传感器得以成为最早商业化的磁阻传感器，也是目前应用最为广泛的磁阻传感器，检测频率、检测精度以及信噪比等指标均优于霍尔传感器。1988年GMR原理被首次发现，后续由IBM推出了首颗GMR传感器芯片并应用于硬盘磁头；2014年，TDK推出了世界首款TMR传感器，同样应用于硬盘磁头。
综上，霍尔传感器、AMR传感器、GMR传感器和TMR传感器都是磁传感器中的代表性产品，具有不同的特点和优势，在实际应用中往往根据需求进行综合考量。霍尔传感器目前仍在实际应用中占据最高市场份额，AMR、GMR、TMR等磁阻传感器凭借高灵敏度等特点，预计将在未来得到进一步发展和推广，但在实际应用中仍存在许多亟需攻克的技术难点。
测量原理及应用场合如下：
（二）中国磁传感器市场分析
1．市场规模和增长趋势
中国磁传感器市场在过去几年中一直保持着稳定的增长趋势，并且预计在未来几年中也将继续保持良好的增长势头。总体而言，中国磁传感器市场预计以17.6%的CAGR从2022年的65.1亿元增长到2027年的146.2亿元。
2．细分品类市场情况
霍尔传感器是中国磁传感器市场中占比最大的一类产品，其营收在过去几年中一直呈现出稳步增长的趋势，预计未来几年中也将继续保持良好的增长势头。从2018年到2022年，霍尔磁传感器的营收增长了50%，在2022年达到45.4亿元。预计在2022年到2027年之间将以14.1%的CAGR继续增长，至2027年达87.9亿元。
近年来，随着AMR技术的成熟推广，AMR传感器凭借高性能、高性价比等综合优势，市场规模迅速提升。2022年，中国AMR市场达8.8亿元，并将以20.1%的CAGR增长，至2027年达22.0亿元。
GMR在过去几年中营收相对较小，且增长相对缓慢。2022年中国GMR传感器市场规模约为3.5亿元。预计在未来几年中，GMR的增长将加速，并将以20.2%的CAGR增长，至2027年达8.8亿元。
