当前位置: 首页 » 市场观察 » 市场分析 » 正文

我国存储芯片行业受国外牵制过大 自主研发有待突破


  来源: 仪器仪表商情网 时间:2015-11-20 作者:Stanford
分享到:



主流存储器,不管是DRAM还是NAND,拼的都是先进工艺和规模。美、韩、日之前都是走的这条路。赛迪智库集成电路产业研究所所长霍雨涛在接受《中国电子报》记者采访时表示,我国台湾走的则是利基型存储器路线,基本上都是别人淘汰后不做的产品。

我国台湾地区在半导体产业发展上,应该说总体是成功的。业内专家莫大康告诉《中国电子报》记者,但是即便投入了300亿美元,其存储器之梦也未能实现。

莫大康表示,上世纪80年代日本追赶美国,以及90年代韩国追赶日本,都是以存储器作为突破口。原因是存储器市场巨大、设计技术相对简单且易于扩大市场份额等。韩国就是在6英寸晶圆厂过渡到8英寸晶圆厂的世代交替时,以98英寸晶圆厂的产能优势,一举取代日本厂商跃居全球DRAM产业的第一。

我国台湾地区试图以同样的方法,希望在8英寸过渡到12英寸晶圆厂的世代交替时,以拥有全球最多的12英寸晶圆厂来取胜。根据此理念,台湾从2004年开始加速存储器方面的投资,5年内总投资高达300亿美元以上,拥有了2012英寸晶圆生产线,位列全球第一,大大超出同期三星的投资。但是最终,台湾并未因12英寸晶圆生产线多而取得胜利,韩国的三星电子及SK海力士仍雄居全球存储器第一与第二位,台湾只得宣布放弃存储器追赶策略,转而固守阵地。

关键词:    浏览量:201

声明:凡本网注明"来源:仪商网"的所有作品,版权均属于仪商网,未经本网授权不得转载、摘编使用。
经本网授权使用,并注明"来源:仪商网"。违反上述声明者,本网将追究其相关法律责任。
本网转载并注明自其它来源的作品,归原版权所有人所有。目的在于传递更多信息,并不代表本网赞同其观点或证实其内容的真实性,不承担此类作品侵权行为的直接责任及连带责任。如有作品的内容、版权以及其它问题的,请在作品发表之日起一周内与本网联系,否则视为放弃相关权利。
本网转载自其它媒体或授权刊载,如有作品内容、版权以及其它问题的,请联系我们。相关合作、投稿、转载授权等事宜,请联系本网。
QQ:2268148259、3050252122。


让制造业不缺测试测量工程师

最新发布
行业动态
市场观察
国际资讯
仪商专题
按分类浏览
Copyright © 2023- 861718.com All rights reserved 版权所有 ©广州德禄讯信息科技有限公司
本站转载或引用文章涉及版权问题请与我们联系。电话:020-34224268 传真: 020-34113782

粤公网安备 44010502000033号

粤ICP备16022018号-4