我国微波器件科技新突破半绝缘碳化硅问世_科技前沿_行业聚焦

我国微波器件科技新突破半绝缘碳化硅问世

发布日期：2015-07-24 14:58

仪器仪表商情网讯：近日，我国自主研制的4英寸高纯半绝缘碳化硅(SiC)衬底产品面世。中国电子材料行业协会组织的专家认为，该成果国内领先，已达到国际先进水平。

碳化硅基微波功率器件具有高频、大功率和耐高温的特性，是新一代雷达系统的核心。

长期以来，碳化硅基微波功率器件的核心材料高纯半绝缘碳化硅衬底产品生产、加工难度大，一直是国内空白，国际上只有少数国家掌握该技术，并一直对我国进行技术封锁和产品禁运。
据了解，碳化硅基微波器件作为当今世界最为理想的微波器件，其功率密度是现有微波器件的10倍，将成为下一代雷达技术的标准。美军干扰机和“宙斯盾”驱逐舰的相控阵雷达已开始换装碳化硅基微波器件产品，军用市场将在未来几年推动碳化硅基微波器件的快速发展。
可以说，研制高纯半绝缘碳化硅衬底材料是我国新一代雷达系统获得突破的核心课题之一。
项目研发者表示，4英寸高纯半绝缘碳化硅半导体材料的研制成功使我国拥有了自主可控的重要战略半导体材料，它将是新一代雷达、卫星通讯、通讯基站的核心，并将在机载雷达系统、地面雷达系统、舰载雷达系统以及弹载雷达系统等领域实现应用。

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关键词:碳化硅微波新材料

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来源：仪器仪表商情网

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