中科院上海技术物理所研究员黄志明和褚君浩院士等在研究太赫兹与窄禁带半导体相互作用时，发现了一种新型光电效应。他们进一步将该效应用于太赫兹波的探测，成功研制了高灵敏度太赫兹室温探测器，证明了通过光子的波动性在器件结构中产生的奇异光电效应，可以实现室温下高灵敏度太赫兹探测 ，从而为太赫兹技术的广泛应用提供了可能。相关研究成果(两篇)近日连续发表于《先进材料》 。
研究人员发现当太赫兹光入射到包裹的金属—半导体—金属器件结构上时，如果满足太赫兹波长远大于器件尺寸条件，将在器件结构中激发反对称电磁波，在半导体中形成电磁波诱导势阱，驱动位于金属中的电子发射到位于半导体的诱导阱中，导致半导体材料的电导率发生改变，从而实现太赫兹波段的探测。理论和实验分析表明：该光电效应的光电转换效果非常明显，因而能实现高灵敏度的太赫兹探测。研究人员成功实现高灵敏度、低噪声等效功率、快速和宽波段响应的太赫兹探测器件。
专家认为，该项研究工作为太赫兹探测技术的突破提供了重要理论和技术。
