在低频段，GaAs HBT的栅极长度通常在0.25至0.5微米之间，“要做到毫米波频率，多数器件厂商会选用栅极长度在0.1至0.15微米的工艺，”Higham说，“Qorvo推出了90nm的GaAs工艺，不过90nm已经是现在量产GaAs工艺的极限尺寸了。”[pagebreak]
基础设施
实际应用中，带相控阵天线的手机将发射信号给基站和微蜂窝基站，基站和微蜂窝基站将与相控阵天线对接以实现信号连接。
要实现上述功能，还有一些问题要解决。例如，天气状况会影响信号路径。“在毫米波频段，由于氧气和吸收造成的路径损失会更大，”Anokiwave CEO Robert Donahue说道，“解决方法是采用波束成型技术。”
Anokiwave刚刚发布一款被称为“5G四核”的IC，工作频率为28GHz，具备相控阵功能。这款IC使用硅锗工艺，可用于微蜂窝基站等系统。
理论上，这种芯片可与基站通信。与4G不同，4.5G和5G设备必须支持大规模MIMO技术。基站使用的射频功率管一般采用LDMOS工艺，但现在LDMOS工艺正在被氮化镓（GaN）工艺取代。
“和LTE-A一样，5G基础设施也会移到更高的频率以拓宽数据带宽，”稳懋半导体高级副总裁David Danzilio说道，稳懋半导体提供GaAs和GaN工艺代工服务。“随着LTE迈向更高频率，GaN技术已经开始扩大市场份额。”
