展望CIOE2026，8μm能否成为非制冷红外主流像元尺寸？

随着整机终端对高分辨率、微型体积、低功耗红外热成像组件的需求持续增长——体积更小、重量更轻，更易于紧凑系统集成的8μm红外器件开始聚拢人们的目光！

人人都要8μm，却不是谁都能做出8μm！

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8μm到底难在哪里？

▍多重挑战——小像元技术物理限制

· 物理极限与信号弱化的挑战——像元缩小意味着单个像素感光面积减小，接收的红外能量即原始信号相对趋弱。8μm器件亟需解决小像元热效应补偿问题，以维持高信噪比。

· 工艺精度与良率控制的挑战——8μm器件对光刻、刻蚀等半导体微纳加工精度要求极高，任何微小的工艺偏差都会导致像素间串扰或坏点，直接影响像素连通率和芯片良率。

· 光学与算法集成的挑战——8μm器件对光学镜头的匹配要求更高，需配合小F数、非球面镜头设计以收集更多光，相应增加像差校正和装调难度，同时也对算法软件与光学硬件的系统集成提出更高要求。

攻克以上难点，需要材料、工艺、电路、软硬件设计的全方位迭代提升，这是8μm器件技术壁垒高、研发周期长、投入巨大的根本原因。

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8μm如何实现？

▍迎难而上——突破底层材料与技术限制

芯火微电子凭借集团强大的底层技术实力，以全新材料与MEMS架构为基础，突破重重阻碍，实现更清晰灵敏的全系8μm器件量产达成。

· 从底层材料做起——重构全新热敏材料体系，创新材料配方与制备工艺，革新数字化ROIC读出电路架构，大幅提升底层噪声抑制能力。

· 关键制程全线升级——MEMS工艺持续优化，助力红外探测器芯片性能和良率稳步提升，促成产品一致性和稳定性双向拔高。

· 封装工艺全面升级——在业内率先采用第四代先进封装技术，超高集成度优势显著，实现8μm器件从材料革新到封装升级的完整闭环。

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8μm意味着什么？

▍多方发力——多维效能提升，只为应用赋能

· 成本再次优化——同尺寸晶圆，同等分辨率，像元越小，产量越高。单片晶圆的芯片产出数量显著提高，成本优势显而易见。

· 轻量化优势显著——同等视场角，像元尺寸越小，配置光学系统的尺寸越小，促进热成像系统的小型化与低成本化，更轻松集成到终端。

· 分辨率即刻提升——同等焦平面尺寸，像元越小，像元数量越多，视场角更大，空间分辨率更好，更广、更远、更小目标均可有效识别！

——邀您共赏——

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