No.1
实验名称：
碳化硅MOS模块上下管驱动波形同步测量
No.2
实验方向：
电力电子功率器件测试
No.3
主要实验设备：
No.4
实验内容：
1. 使用两台PKDV5163高压差分探头，分别测量SiC MOS模块上管和下管的驱动电压波形。
2. 评估PKDV5163在350MHz带宽、±160V（20X档）条件下的测量精度与抗共模干扰能力。
No.5
实验过程：
1. 实验准备
预估被测驱动电压幅值：SiC MOS栅极驱动电压通常为+18V/-4V或+15V/-3V，远低于PKDV5163的±160V（20X档）量程，故选择20X衰减比档位。检查两台PKDV5163探头外观，分别通过USB适配器供电，绿色指示灯亮起，预热20分钟。
2. 探头连接与示波器设置
将PKDV5163的BNC输出分别接入示波器CH1、CH2通道。示波器输入阻抗设置为1MΩ，根据探头20X衰减比，在示波器上设置对应的衰减比例。
两台探头分别连接上管和下管的测试点，输入线尽量双绞以减少噪声。
3. 上电与测量
连接好探头输入端后开启驱动电路电源观察上下管驱动波形，注意探头主体远离高压脉冲电路，减少干扰。
4. 数据记录与波形保存
使用示波器保存上下管驱动波形截图及关键参数测量值。对比上下管驱动信号的时序一致性，检查是否存在串扰或异常振荡。
No.6
测试结束
先关闭被测电路电源，再关闭探头电源。将探头输入端与被测点分离，最后拔出BNC插头。
实验结果：
由结果可知PKDV5163能够清晰捕捉SiC MOS模块纳秒级驱动边沿，上升/下降时间测量准确，波形无明显的过冲或振铃失真，驱动波形基线稳定。20X档位下最大输入差分电压±160V，完全覆盖SiC MOS驱动电压范围；±2%精度保证测量结果可靠。两台PKDV5163探头测量结果一致性良好，通道间延时差异小，适合上下管同步测量
实验中用到的PKDV5163的参数指标：
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