2.8清洁切削共性关键技术
研究内容：研究高速干切工艺使能关键技术，建立基础数据库;研究微量润滑切削与低温冷却切削装置及相关功能部件;研究高稳定性清洁切削工艺技术及高生物降解微量润滑切削液;开展航空航天典型材料的清洁切削试验验证。
考核指标：高速干切工艺基础数据库涵盖多种典型材料和工艺，及其相关的百种以上工况基础数据;适用于车、铣加工工艺的低温微量润滑装置及相关功能部件不少于 6 种， 低温冷却切削装置的最低输出温度低于-190℃;清洁切削机床周边悬浮颗粒物浓度≤.5mg/m3;切削液生物降解率≥95%;完成不少于 3 种典型材料清洁切削试验验证。
2.9硅基 MEMS 高深宽比结构无损测量技术
研究内容：研究 MEMS 高深宽比结构三维几何特征快速无损测量原理和方法;研究测量系统设计、光学显微传感、微弱信号采集与处理、校准与误差补偿、量值溯源等关键技术;研制高深宽比三维特征尺寸快速无损测量系统，并在MEMS 工艺线试验验证。
考核指标：沟槽深宽比≥20：1，深度测量范围10mm～ 300mm，深度测量不确定度≤0.5%(k=1);线宽测量范围2mm~30mm，线宽测量不确定度≤1%(k=1);单点测量时间≤5s。
2.10硅基 MEMS 厚金属薄膜关键技术
研究内容：研究硅基 MEMS 厚金属薄膜工艺兼容性，研究高质量厚金属薄膜制造工艺、薄膜特性测试技术;研究硅基厚金属薄膜 MEMS 结构释放工艺技术，研究 MEMS 继电器的高可靠设计、制造及封装等关键技术;开发硅基 MEMS 厚金属薄膜成套制造工艺技术，在航空航天重大技术装备中应用。
考核指标：硅基衬底圆片直径≥150mm，金属薄膜厚度≥5mm，薄膜厚度误差≤±3%，薄膜应力≤150MPa;MEMS 继电器负载电流≥500mA，接触电阻≤500mΩ，开关寿命≥1×106次，成品率≥85%。
2.11高性能微纳温度传感器关键技术
研究内容：研究耐高温柔性曲面衬底上薄膜材料热电特性、快速响应敏感单元设计技术，曲面衬底上高温温度传感器的高可靠性设计及制造关键技术;研究光学温度传感器回音壁谐振腔、模式调控、频率锁定等关键技术;研制曲面高温温度传感器和高分辨率温度传感器原型器件，并在航空航天重大技术装备中试验验证。
考核指标：曲面衬底高温温度传感器测量范围-60°C～ 1800°C，误差≤±1.5%FS，响应时间≤10ms;高分辨率温度传 感器测量范围 20°C～40°C，分辨力≤1μK/。
2.12硅基 MEMS 气体传感器关键技术
研究内容：研究硅基 MEMS 气体传感器芯片集成化设计技术;研究硅基 MEMS 红外光源、光学微腔、光学天线、红外探测器、温度传感器等核心部件与集成制造技术;研究标校算法、边缘计算、ASIC 芯片闭环控制、环境效应等非色散红外(NDIR)气体检测系统集成关键技术;实现传感器在流程工业中应用。
考核指标：气体传感器量程二氧化碳(0～5000ppm)、二氧化硫(0～100ppm)、氮氧化物(0～50ppm)、甲醛(0～ 100ppm)、丙酮(0～100ppm)，测量误差≤±2%。系统芯片尺寸≤20mm×10mm×5mm ，长期稳定性≤1%FS/年，制定传感器规范或标准≥2 项。
2.13高性能磁传感器关键技术
研究内容：研究并优化高性能磁传感器芯片制造工艺技术;研究高性能磁传感器的高灵敏结构设计和高可靠封装技术;研究磁编码器与转速测量涉及的 ASIC 芯片、软件算法、测控接口等;形成制程规范，在数控机床、工业机器人、伺服电机等装备应用。
考核指标：磁传感器灵敏度 100mV/V/Oe，本底噪声≤10pT/@1Hz，体积≤30mm×30mm×5mm，成品率≥85%;伺服电机磁绝对位置编码器精度优于 0.02°，成套制程规范≥2 项。
2.14仪表专用微控制器芯片设计及应用关键技术
研究内容：研究数据采集、处理、存储、通信等高度集成的工业自动化仪表芯片设计技术;研究针对高度集成仪表芯片的软件可重用开发方法，开发典型功能库;研究仪表高密度集成设计等关键技术;基于上述芯片，开发核心零部件自主可控的温度、压力、流量、电动执行器等小型化仪表， 并开展应用验证。
考核指标：微控制器芯片模/数转换精度不低于 16 位， 内嵌 32 位微处理器，内嵌 HART、FF、Profibus 等通信控制器;完成不少于 100 台小型化仪表应用验证。
2.15多参数危险气体在线分析关键技术
研究内容：研究在线分析仪器紧凑型核心部件高密度集成技术;研究含固、液杂质的工业气体在线测量预处理技术及装置;研究一氧化碳、二氧化碳、氧气、甲烷、硫化氢、氨气等多组分气体浓度、多参量集成测量技术;研制高安全多参数小型化危险气体在线分析仪器;在典型工业过程领域开展应用示范。
