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LED 小知识:LED 芯片量测


时间:2016-10-18 作者:固纬电子
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接下来我们把二极管接上一个反向电压,要去测量它的漏电流。因LED 具有单向导通特性,所以加以反向电压时,只有极小的漏电流通过。IR 越大,LED 的特性越差。也由于这种电流非常的小,所以需要使用比较高位数的万用表。


反向漏电流( IR ) 测试

IV 曲线可以看得出来,只要达到LED 的启动电压,后续的增大电压对LED 的影响其实很小。所以重点是在于其驱动电流,其对LED 的影响如下:

亮度: LED 亮度与其驱动电流成正向比

温度和老化: 可引起Vd 随时间漂移,电压漂移有可能引起不期望的电流波动

寿命: 过量电流驱动LED 有可能导致不可逆的损害,并大幅缩短其寿命

从下图右可以看到电流的变化所带来LED 光衰减的范围。


下面看到的是电流对LED 影响的一个案例。当电源在启动的瞬间,一般会产生过冲的情况,就有可能会烧毁LED 芯片。其他单脉冲过电流出现的情况还有静电放电(ESD)或瞬态电涌,会造成短路或开路的危害。


另外一个对电流相当重要的参数是纹波,当驱动电源制程工艺不同时就会出现,并产生光效变低、寿命减短、过热等危害。


关键词:仪器仪表 测试测量 芯片量测    浏览量:577

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