首先，功率放大器作为通信发射系统中极为重要的部分，其输出功率的能力，漏级效率大小都会对整个通信系统有着重要的影响，从综合性能来说，氮化镓射频功放管成为了高频大功率以及宽带高效功放模块的最合适选择。GaN既弥补了LDMOS的高频带宽和效率的性能缺失，又改善了GaAs在高频功率容量的不足，加上氮化镓在可靠性方面的优势，使其成为5G 通信的首选功放管技术。
再者，近年来欧美半导体公司对国内功放管市场的封锁趋紧，国内氮化镓企业受到了市场的大力追捧，加速发展。
一款新型GaN射频功放管DX1H3438140P可支持频段为3.4 GHz-3.8 GHz，借助其优异的宽带性能，客户可以在该频段内采用同一个宽带功放管来代替原有的两种甚至是三种功放管。功放管的工作电压为48 V，在该频段拥有较好的线性度、功率密度、效率以及宽带特性。在板级使用时，外匹配容易实现，调试简单。
将该功放管设计成Doherty架构，非常适合系统平均功率为20 W的基站使用。采用该功放管设计的Doherty架构功率放大器，可以支持160 MHz的宽带信号，并很好的与宽带DPD系统配合，在常温下经过DPD校正之后，线性度可以达到-50 dBc @ 45.4 dbm，表现出了很完美的射频闭环性能。
下面我们对这款功率管分别作了单管及Doherty性能测试：
一、Load Pull性能
表1为功放管DX1H3438140P在3.4 GHz-3.8 GHz的Load Pull测试性能。
表1、DX1H3438140P Load Pull测试结果
