由于红外发光二极管PN结电容的存在,影响了它的工作频率。现在,红外发光二极管的相应时间一般为最高工作频率为几十兆赫。
红外线光敏二极管
我们知道半导体具有光电效应,即用光照半导体,可使半导体的电阻率发生变化。利用半导体的光电效应可以制成光电二极管,不同的半导体材料对不同波长的入射光的响应是不同的。
光敏二极管有顶面受光和侧面受光两种形式。它也是采用塑料、玻璃、环氧树脂等材料封装。
光敏二极管的主要参数
光电流IL
指在一定反向电压下,入射光强为某一定值时流过管子的电流。光敏二极管的光电流一般为几十μA,并与入射光强成正比。
暗电流ID
指在一定反向电压下,无光照时流过管子的电流。一般在50V反压下,ID小于0.1μA。
反向工作电压UR
是指在无光照时,光敏二极管反向电流小于0.2μA-0.3μA时,允许的最高反向工作电压,一般在10V左右,最高可达几十伏。
红外测距硬件电路
单片机最小系统