可见光发光二极管(LED)兼具高效率和长寿命的特点。目前，它们的应用十分广泛。制造商们通过对的深入研究已经研制出了具有更高光通量、更长寿命、更多色彩和更高每瓦流明数的新器件。精确而高性价比的测试对于确保器件的可靠性和质量至关重要。
在生产的不同阶段具有不同类型的测试序列，例如设计研发阶段的测试、生产过程中的晶圆级测试、以及封装后的最终测试。尽管LED的测试一般包含电气和，本文着重探讨电气特征分析，只在适当的位置介绍部分光学测量技术。图1给出了典型二极管的电气I-V曲线。完整的测试应该包含大量 的电压值与对应的电流工作点，但是一般情况下有限的采样点就足以测试出器件的品质因数。
图1. 典型LED的直流I-V曲线和测试点(不可缩放)
很多测试需要提供已知的电流然后测量电压，而另外一些测试需要提供电压然后测量产生的电流。因此，具有集成的、同步的源和测量功能的高速测试仪器对于这类测试是非常理想的。
正向电压测试
在LED 测试序列中，正向电压(VF)测试检验的是可见光LED上的正向工作电压。当在二极管上加载一个正向电流时，它就开始导通。刚开始在低电流下，二极管上的电压降快速上升，但是随着驱动电流的增加，电压斜率开始变平。二极管一般工作在这个电压相对恒定的区域。在这些工作条件下对二极管进行测试也非常有用。VF测试需要提供一个已知的电流然后测量二极管上产生的电压降。典型的测试电流范围从几十毫安到几安，而产生的电压大小通常在几伏的范围。有些制造商利用这种测试的结果进行器件分拣，因为正向电压与LED的色品(由色彩的主要或者补色波长及其纯度共同表征的色彩品质)相关。
光学测试
正向偏置电流也用于光学测试，因为电子电流与发光的强弱密切相关。通过在待测器件附近放一个光电二极管或者累计球捕捉发出的光子可以测出光强度(optical power)。然后将光转换成电流，利用安培计或者源测量仪器的一个通道测量电流的大小。
在很多测试应用中，二极管的电压和发出的光可以利用大小固定的电流源同时测出来。此外，利用分光计可以在同样大小的驱动电流下测出诸如光谱输出之类的详细参数。
反向击穿电压测试
对LED加载一个反向偏置电流可以测出反向击穿电压(VR)。测试电流的大小应该设置为当电流稍微增加时测出的电压值不再明显增大的位置。当电压高于这个电压值时，反向偏置电流的大幅增加导致反向电压变化不明显。这个参数指标通常是一个最小值。在测试VR时要在一定的时间内加载一个小的反偏电流，然后测量LED上的电压降。测量结果的大小范围通常为几十伏。
漏电流测试
一般地，漏电流(IL)的测量使用中等大小的电压(几伏到几十伏)。漏电流测试测量的是当加载的反向电压低于击穿电压时LED上泄漏的小电流。在生产过程中确保漏流不超过一定的阈值是漏流测量的常用做法，也是隔离测量更普遍的做法。其中有两个原因。第一，低电流测量需要较长的稳定时间，因此它们需要更长的时间才能完成。第二，环境干扰和电噪声对低值信号具有较大的影响，因此需要额外的屏蔽措施。这些额外的屏蔽措施增加了测试夹具的复杂性，并且可能干扰自动机械手的操作。
智能仪器增大LED生产测试产能
