第三代半导体材料行业背景
以碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）为代表的第三代宽禁带半导体材料的应用，是各国争相发展的重点领域。第三代宽禁带半导体材料独有的高热导率、高击穿场强、高饱和电子漂移速率等特性，不仅能够满足现代电子技术对高温、高功率、高压、高频以及抗辐射等最新需求，还可以降低50%以上的能量损失，最高可使装备体积减小近75%，在半导体材料领域具有里程碑意义。
随着宽禁带技术的进步，材料工艺与器件工艺的逐步成熟，在一些高端应用领域，正在逐步取代第一代、第二代半导体材料，建立了衬底、外延、器件以及应用等完整的产业链。除了美国、欧洲、日本等高科技企业在技术上的强力推进，国内也有数十家科技企业投入大量资金布局第三代半导体业务。在大规模商用上，较高的技术门槛和成本依然是第三代宽禁带半导体发展的瓶颈。
当前整个电源产业正发生着深刻的变革，以SiC（碳化硅）、GaN（氮化镓）为代表的宽禁带半导体技术已经在众多行业中得到了广泛的应用，也给电源的开发测试工作带来了众多的挑战。
泰克科技始终密切跟踪最新技术的进展，通过和业内领军企业的密切合作来开发针对性的测试方案。基于其性能一枝独秀的光隔离探头以及示波器等产品，泰克为广大电源工程师们提供卓越的完整测试解决方案。
碳化硅的应用及优势
应用领域：
●新能源汽车驱动
●光伏及风能逆变器
●PCS双向变流器
●UPS
●服务器电源
●航空电源
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技术优势：
●整体效率：有效提升2-5%
●体积：可以缩小25-50%
●重量：可以减少20-50%
●更好的抗高温高压能力
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研发测试难点及泰克提供的解决方案
研发过程中的测试难点：
● 传统测试工具，测试结果会让研发人员困扰，无法判断真实的信号波形是因测试问题导致，还是器件或系统本身的问题。
● GaN 应用于PD快充，OBC，上管Vgs无法测试，不测试会导致烧板子，炸管，产品有安全隐患。
● SiC多用于新能源逆变器、轨道交通、电驱动等大功率器件的应用，半桥及全桥电路上管无法准确测量，不测试会导致烧板子，炸管，产品有安全隐患，会导致牺牲SiC的优异性能来保证产品安全要求。
泰克提供的解决方案：
泰克推出第二代IsoVu隔离示波器探头
推动第三代半导体发展，为电源行业带来技术革新
新的Tektronix IsoVu™ Generation 2探头提供了无与伦比的带宽、动态范围、共模抑制以及多功能MMCX连接器的组合，为上管Vgs测量设置了新的标准，设计者终于能看到以前隐藏的信号特征。
● 1 GHz 光隔离探头
● 更小的尺寸提升了DUT连接的便携性
● 行业领先的的CMRR特性
● 完全光隔离技术
方案优势
●应对SiC高频挑战
提供高达1GHz带宽测试能力，相比较传统的测试系统性能提升5倍。
●应对更高精度挑战
高精度测试系统，可以准确测试Vgs、Vds 的开关波形上升沿及下降沿细节，比8Bit系统分辨率提升16倍。
●应对高共模电压挑战
高达120dB的共模抑制比TIVP光隔离探头，共模抑制比性能比传统差分探头提升了1000倍。
●应对干扰挑战
光隔离探头将信号和测试的电气隔离，最大程度降低信号端噪声对测试结果的影响，并全程光纤传输信号。
●应对信号连接挑战
采用MMCX及专用方形接口方式，最大程度降低线缆长度引起的震荡，并降低环境噪声引入。
