本文将考察一个简单的大规模天线阵列示例，借以探讨毫米波无线电的最优技术选择。现在深入查看毫米波系统无线电部分的框图，我们看到一个经典超外差结构完成微波信号到数字信号的变换， 然后连接到多路射频信号处理路径，这里主要是运用微波移相器和衰减器来实现波束赋形。 传统上，毫米波系统是利用分立器件构建，导致其尺寸较大且 成本较高。这样的系统里面的器件使用CMOS、SiGe BiCMOS和 GaAs等技术，使每个器件都能得到较优的性能。例如，数据转换器现在采用CMOS工艺开发，使采样速率达到GHz范围。上下变频和波束赋形功能可以在SiGe BiCMOS中有效实现。根据系统指标要求，可能需要基于GaAs功率放大器和低噪声放大器，但如果 SiGe BiCMOS能够满足要求，利用它将能实现较高的集成度。
对于5G毫米波系统，业界希望将微波器件安装在天线基板背面，这要求微波芯片的集成度必须大大提高。例如，中心频率为 28 GHz的天线的半波阵子间距约为5 mm。频率越高，此间距越小，芯片或封装尺寸因而成为重要考虑因素。理想情况下，单波束的整个框图都应当集成到单个IC中；实际情形中，至少应将上下变频器和RF前端集成到单个RFIC中。集成度和工艺选择在某种程度上是由应用决定的，在下面的示例分析中我们将体会到这一点。
示例分析：天线中心频率为28 GHz， EIRP为60 dBm
此分析考虑一个典型基站天线系统，EIRP要求为60 dBm。使用如下假设条件：
- 天线阵子增益 = 6 dBi（瞄准线）
- 波形PAPR = 10 dB（采用QAM的OFDM）
- P1dB时的功率放大器PAE = 30%
