在Memory Designer中，只需要一张原理图便可以分别进行通道和瞬态仿真。而由于总线形式的使用，则将传统设置方法所需的数小时，缩减至数分钟，同时也减小了设置错误的风险。
此外，Memory Designer中的DDR BUS仿真器，可以根据信号的上升与下降，使用对应的阶跃响应，获得正确的波形。如下图所示，DDR BUS仿真器在上升沿与下降沿不对称的情况下，有很高的精确度。
另一方面，基于Keysight成熟的通道仿真算法，DDR BUS仿真器可以根据AMI模型中的均衡算法，对信号进行均衡，同时可以准确预测在低误码率情况下的抖动对信号的影响。在下图中也可以发现，当DQ与DQS存在时间差时，会造成眼图的偏移。
05 ADS DDR5仿真实例
图中显示了在ADS Memory Designer环境中DDR5基本的仿真结构，所有信号以总线形式连接，设置过程只需要短短几分钟。其中控制器和内存模块都使用了IBIS-AMI模型，并且允许对AMI模型中的参数进行编辑。
图中显示了DDR5在ADS Memory Designer 中的仿真结果。可以发现，经过AMI模型中均衡算法处理的DQ信号，眼图张开程度明显增加。
