就可靠性而言，碳化硅 MOSFET 的击穿电压高于其数据表规格（见图 3）。碳化硅 MOSFET 的击穿裕度可显示组件在面对瞬态过压时的稳健性。在低温下，碳化硅 MOSFET 具有特定击穿电压。IGBT 制造商则无法保证零下温度条件下的击穿电压。例如，1200 V IGBT 无法在 -30 °C 时耐受 1200 V。在这个温度下，必须对设备降额。
图 3. 碳化硅 MOSFET 的实际击穿电压与温度的关系。图中显示了对来自三个不同生产批次的组件（15 个一组）进行的测量。
六、碳化硅晶体管的空间占用更少
碳化硅功率半导体和硅功率半导体之间的一个更显著的区别在于晶粒尺寸。首先，相比具有同等功率的硅晶体管晶粒，碳化硅晶粒更小。其次，硅晶体管需要使用反向偏压二极管，才能实现集电极与发射极之间的双向电流。碳化硅晶体管源-漏沟道可以在任一方向上传导电流。此外，碳化硅晶体管的晶体管结构中包含寄生体二极管。因此，与硅晶体管不同，碳化硅晶体管不需要额外的二极管。以 1200 V 晶体管为例，碳化硅晶体管的晶粒面积约为硅晶体管晶粒面积的 ¼。因此，布置在电源电路中的碳化硅组件所产生的杂散电感更小。总的来说，碳化硅封装越小，成品的功率密度越大。
七、10000 系列新电源实现的宏大目标
EA 利用碳化硅技术开发了 30 kW 可编程电源，其搭配高度为 4U 的机箱，输出电压可达 2000 V。较之于基于硅晶体管的型号，这些产品的优点在于：
1、效率提升了 3%
2、功率密度提高了 37%
3、240 W 电源系统的空间占用减少了 33%
4、240 W 电源系统的发热量减少了 42%
5、单位能耗成本降低了 15-20%
得益于碳化硅晶体管的更高开关速度，新推出的 10000 系列开关模式交流转直流转换器能够以大约 60 kHz 的频率工作。其他厂商电源的直流转直流转换器的开关频率约为 30-40 kHz，相比之下，这些交流转直流转换器的速度提升了 30%。10000 系列的更高的开关频率有助于缩减电磁组件和功率放大器的尺寸。不仅电磁组件的质量缩减了 30%，而且设计所需的感性组件也减少了一个，这就节省了宝贵的空间，减少了热量生成。
