首先，国外传感器技术发达国家以“技术垄断中高端市场，低价冲击中低端市场”的策略长期控制我国的传感器行业，国内传感器开发企业单纯从市场竞争角度难以摆脱国外垄断，导致大企业有资金但不愿做，小企业有技术却发展缓慢，“技术引进-落后-再引进-再落后”的行业现状长期存在，严重制约我国传感器企业的创新能力，进而影响重大装备和工程的自我配套能力。
其次，国内传感器企业大部分以小微型企业为主，以单一传感器产品开发或传感器单一开发环节居多，企业创新缺乏足够的人力、物力和工艺条件等资源配置，产业化基础十分薄弱，企业创新生态难以形成，导致国内传感器企业对于高精度、高可靠性以及智能化的高端传感器芯片基本依赖进口，企业产品利润低，行业的人才吸引力下降，传感器企业自主创新举步维艰。
再次，传感器产品尤其是高端的智能传感器产品，所需智力密集度高，研发周期长，生产装备前期投入高，对敏感机理、敏感材料、工艺设备和计测技术等基础性技术依附性强，产业投资受限于技术门槛高、投资回报周期长，国内科研院所积累的传感器基础研究成果难以有效转化，行业缺乏能够掌握高端传感器设计、加工、封装、标定以及测试等全链条技术能力的高技术企业。
众所周知，我国芯片尤其是高端芯片的自主生产能力严重不足。芯片是传感器的核心，传感器产业发展与芯片息息相关。美国极力阻碍中国芯片产业发展，短期来看将在供给上导致芯片尤其是高端芯片供应困难、传感器自主发展受限；中期来看将在技术研发创新上受到限制，导致我国传感器跟踪世界先进水平受阻；但长期来看会加速我国芯片、传感器产业的自主创新发展进程，进一步倒逼我国传感器产业高质量发展。
未来我国传感器产业发展应从哪几方面发力？
欧阳劲松：面对国内外严峻形势，我们清醒地认识到，推动传感器产业高质量发展刻不容缓。如何推动传感器产业发展，需要从研发创新、政策支持、产业培育、人才培养等方面统筹推进。
第一，研发创新方面，要集中优势力量，持续支持联合攻关。我们有必要发挥新型举国体制优势，集中国内优势团队，依托各类国家实验室、重点实验室、创新中心等，开展传感器技术协同攻关，通过持续的研发支持，科学有序地突破各环节的技术瓶颈，避免科研生产两张皮，避免重复投入造成的资源浪费。国外传感器几十年来主要被几个发达国家的少数公司垄断，我国相关产品要实现自主可控，在形成竞争力之前还需要大量资金投入，开展关键工艺装备、关键工艺技术、关键原材料的研制。目前各单位各自为战，很大一部分都是在低水平重复，浪费大量的人力、物力、财力和时间。以我国电能表产业发展为例：当年86型电能表的研究开发由政府（原机械工业部）组织设计技术和制造技术攻关，哈尔滨电工仪表研究所牵头，行业骨干企业参加，全部研究成果由攻关团队共享，短短3年国产电能表技术就上了一个台阶，淘汰了落后的28型电能表，实现了制造企业、电力用户、国家利益的多赢。与此相反，在一段时期电子式电能表的开发和产业化则是各自为战，全国近百家企业各自投入巨大的财力和人力，都是从头开始，重复低水平开发工作，不仅全行业的研究开发投入较86型电能表高出一个量级，产品质量、抗干扰、抗攻击能力等问题多年得不到用户认可，许多企业效益滑坡甚至亏损。
第二，政策支持方面，要完善政策体系，政府要有系统性战略。我国传感器产业整体落后世界先进水平，发展离不开国家的政策支持和资金投入，国家及各级政府的高度重视、投入是传感器产业补短向长发展的根本保证。长期以来，传感器一直被作为系统配套产品，政策上重视程度不够。在当前国际政策环境影响下，对于传感器产品尤其是高性能两用产品，国外将实行更严格的技术封锁和禁运措施。国家应从学科体系、人才培养、研发投入、产业扶持等方面出台有机衔接的各类政策，给予传感器领域系统性支持。
