前言
为实现我国的‘碳达峰、碳中和’目标，电气化替代成为关键策略。
通过功率半导体，我们构建了高效、可控的能源网络，降低能耗和碳排放。功率半导体在计算机、交通、消费电子和汽车电子等行业的应用也逐渐广泛。
随着新能源的快速增长，新能源汽车、风电和光伏等领域对功率半导体的需求将大幅增加。
半导体材料已经历经三个发展阶段：
由此可见，第三代半导体在高压、高频、高速和低阻方面展现出了显著优势，其击穿电压在某些应用中甚至能够达到1200-1700V。这些特点为其带来了一系列新的特性：
A：极低的内部电阻，与同类型硅器件相比，效率提高了70%；
B：低电阻有助于改善热性能，提高最高工作温度，优化散热，从而实现更高的功率密度；
C：散热的优化还使得封装更简洁，尺寸和重量大大减少；
D：其极短的关断时间使得器件能在高开关频率下工作，且工作温度更低。
这些特性在功率器件，尤其是MOSFET和IGBT上的应用最为广泛。
其中，功率器件以MOSFET、IGBT为代表，两者均为电压控制电流型功率开关器件，MOSFET优点是驱动电路简单、开关速度快、工作频率高，IGBT是由BJT和MOSFET组合成的复合器件，兼具两者的优点：速度快、能耗低、体积小、而且大功率、大电流、高电压。
MOSFET以栅极（G）极电压控制MOSFET开关，当VGS电压大于阈值电压VGS(th) 时，MOSFET导通。
IGBT同样以栅极（G）极电压控制IGBT开关，当VGE电压大于阈值电压VGE(th) 时，IGBT导通。
因此，在第三代半导体高速发展的同时，测量技术也面临全面升级，特别是高电压、大电流、高频率测试，以及电容特性（CV）特性。
本方案用于解决MOSFET、IGBT单管器件、多个器件、模组器件的CV特性综合解决。
在了解本方案之前，需先了解寄生电容、CV特性、栅极电阻Rg测试技术。
一、功率器件的米勒效应、CV特性
1、MOS管的寄生电容
以台湾育碧VBZM7N60为例MOS管具有三个内在的寄生电容：Cgs、Cgd、Cds以及栅极电阻Rg。
三个等效电容是构成串并联组合的关系，它们并不是独立的，而是相互影响，其中一个关键电容就是米勒电容Cgd。这个电容不是恒定的，它随着栅极和漏极间电压变化而迅速变化，同时会影响栅极和源极电容的充电。
规格书上对上述三个电容的CV特性描述为：在给定的工作条件下，这三个电容的电容值会随着VDS电压的增加而呈现下降的趋势。
2、MOS管的米勒效应
理想的MOS管驱动波形应是方波，当Cgs达到门槛电压之后， MOS管就会进入饱和导通状态。实际上在MOS管的栅极驱动过程中，由于米勒效应，会存在一个米勒平台。米勒平台实际上就是MOS管处于“放大区”的典型标志，所以导致开通损耗很大。
