随着GaN功率元件出货量快速增长，业界观察家均看好GaN的市场前景。市场研究分析公司Yole Developpement在最近的调查报告中指出，‘GaN功率市场迈向整合，准备迎向巨大成长。’
Yole分析师Philippe Rousel也预测：“GaN元件市场可望在2020年达到6亿美元的规模，届时将需要制造58万片6寸晶圆。此外，GaN市场将于2016年起迅速发展，5G基站、汽车毫米波雷达、纯电动汽车（EV）/油电混合车（HEV）将在2018-2019年开始广泛采用GaN RF元件，2020年以前估计可实现80%的CAGR成长率。”
目前，新一代GaN元件正从以下4个方面突破技术障碍：1）具备更低导通电阻：由于全新GaN FET系列可降低一半导通电阻，因此可支援大电流、高功率密度应用。2）进一步改善品质因子（FOM）：最新一代GaN FET较上代元件降低一半的硬开关FOM，因此在高频功率转换应用可进一步提高开关性能。3）更宽广的电压范围：由于受惠于采用GaN FET扩展至30V的应用，因此可支援更高功率的DC-DC转换器、POL转换器以及隔离型电源供电、电脑与伺服器内的同步整流器等更多应用。5）更优越的散热性能：新一代GaN FET系列产品在温度方面具备增强性能并配备更优越的晶片布局，因而改善了散热及电学性能，使得GaN FET在任何条件下都能更高功率地工作。
Bill Boesch表示：“GaN FET的结温可以高达250摄氏度，环境工作温度可以高达150度，完全可以满足汽车级元件要求。”
