为华为RF工程师讲课的Qorvo高级Fellow Bill Boesch接受专访时表示：“4G、5G基站大功率射频（RF）元件市场正在发生变革，原有的占主导地位的LDMOS元件虽有成本较低的优势，但市场份额正在出现下滑态势，代之而起的是新兴的GaN元件，它因其能够节省更大功率的优势正在基站RF市场上快速增长。”
他特别提到，5G现在频谱标准还没有定，有可能会选择4-5GHz或更高至毫米波频段。对于手机终端来说，如果5G频段在4-5GHz左右，GaAs RF应该还是主流，但如果最终选择8GHz以上频段，GaN RF元件就应该会成为主流选择，因为它的高频和高功率性能更加突出。再考虑到未来的汽车前向毫米波雷达将采用77GHz毫米波频段，GaN大功率RF元件未来无疑将成为市场的应用主流。
新兴的GaN功率元件采用一种拥有类似于SiC性能优势的宽能隙材料，但拥有更大的成本控制潜力，尤其是高功率的硅基GaN具有更大输出功率与更快工作频率，已被广泛看好成为下一世代的大功率元件。
知名市场研究公司IHS IMS Research的报告也显示，未来十年，受到5G基站、汽车毫米波雷达、大功率电源、太阳能逆变器以及工业马达的需求驱动，新兴的GaN功率半导体市场将以18%的速度稳步成长，预计在2022年以前， GaN功率元件的全球销售额将从2012年的1.43亿美元大幅增加到28亿美元。
