请注意，这些计算出来的值与低频下 (<500Hz) 测得的THD+N密切对应。在这里，测量值几乎完全由运算放大器的噪声决定。由于输入信号的频率不影响噪声电压，噪声优势频率上的THD+N测量值在是扁平的。
相似的，在低信号幅值上，THD+N测量值主要受噪声影响。图2显示1kHz时，在OPA316上测得的THD+N与输出幅值之间的关系。在300mV以下时，两个输出曲线具有一个恒定斜率。RMS噪声是恒定的，而与输入信号幅值无关，所以信号幅值的增加会改进THD+N的测量值。例如，在曲线的噪声主导区域，把输出幅值加倍将使THD+N的值减半。
图2：多个配置中，OPA316运行在1kHz时，THD+N与输出幅值之间的关系
另一方面，失真谐波的幅值会随着信号幅值的变化而变化。一旦曲线偏离恒定向下斜坡，我们就会知道失真谐波正在影响THD+N测量值。
针对低噪声的电路设计具有噪声不断增加带来的有害后果。具有低值反馈电阻器的非反向运算放大器可以提供特别低的噪声，但是额外的负载和共模电压会增加高频失真。了解噪声或失真是否会限制你的系统性能对于找到一个工程设计解决方案十分关键。掌握某些基本手算结果，并且能够看懂数据表THD+N图，你就可以迅速确定谁是罪魁祸首了。
