空间辐射环境主要来自宇宙射线、太阳耀斑辐射及环绕地球的内外范·艾伦辐射带等。虽然辐射剂量率很低，不同轨道的剂量率范围一般在0.0001～0.01rad(Si)/s之间，但由于它是一个累积效应，当剂量率累计到一定值时，将导致电子器件的性能发生变化，严重时将导致器件完全失效，使电子设备不能正常工作。目前运行的卫星在其有效寿命里，内部将会受到的总剂量为102～104Gy(Si)的辐射。单粒子效应(SEE)是空间电子系统必须面对和需要解决的另一个空间辐射问题。自1975年发现单个高能粒子能引起CMOS器件发生锁定(SEL)以来，不断发现由单粒子引起的器件失效情况，包括功率MOS器件发生烧毁(SEB)、单粒子栅穿(SEGR)、单粒子翻转(SEU)等现象。随着器件集成度的提高，以及工作电压的降低，器件对单粒子效应的敏感度也大幅度提高，成为影响航天器在轨运行的重要因素。核辐射环境主要由α、β、中子、γ射线及核电磁脉冲组成。高空核爆炸产生的瞬时辐射环境的时间很短(一般为10～15s)。瞬态剂量率辐射效应、中子辐射位移损伤效应以及瞬态辐射的次级效应，对于战略武器和航天器的电子系统，都是必须重视的瞬时损伤因素。因此运行在辐射环境的航天型号在选择电子器件时，必须根据器件承受的辐射环境，选择具有足够抗辐射能力的器件，并留有一定的余量，以保证所选器件在辐射环境中稳定可靠地运行。
