对于单粒子引起的翻转，敏感度由低到高的顺序可以排列为：CMOS/SOI，CMOS/SOS，体硅COMS，NMOS，I2L，TTL。为避免单粒子引起的锁定，推荐使用CMOS/SOI，CMOS/SOS或外延COMS工艺器件，CMOS/SOI，CMOS/SOS工艺器件不存在锁定问题，外延CMOS器件单粒子锁定的阀值一般较高，但在具体应用时，应对其锁定阀值进行评估。器件的单粒子敏感度与器件的使用条件有关，一把情况下，电源电压、温度和累积剂量的升高会影响器件的单粒子敏感度，在系统设计时应予以考虑。适当增加屏蔽层厚度可对空间低能粒子起到一定的屏蔽作用，但对高能重离子和高能质子的屏蔽效果不明显。
附件：辐射加固保证(RHA)等级
关键词:仪器仪表 测试测量 航空航天 浏览量：557
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