航天型号在轨运行时间一般可分为长期、中期、短期三类，一般情况下要求器件具有抗总剂量辐射的能力如表所示。但空间辐射环境在不同的年份、不同地区有很大的差别。因此选择器件的抗总剂量辐射的固有能力与实际承受的辐射总剂量应有一定的裕度，两者之比成为辐射设计裕度(RDM)，RDM在2至11之间，根据具体的航天型号总体要求(风险、成本、进度、难度等)而定。
按上表选择长期运行抗总剂量辐射的半导体器件，其抗辐射总剂量的能力应大于100krad(Si)，当RDM取2时，则应选RHA为F等级的器件。当所选器件无RHA要求时，应进行辐射总剂量评估试验(RET)以摸清器件的抗总剂量辐射的能力。当选择不到抗总剂量辐射能力的器件时，可参照资料的要求，对器件进行屏蔽，以保证其在电离总剂量辐射环境中稳定可靠地工作。
器件抗单粒子翻转(SEU)的能力以现行能量传递(LET)表示，当器件发生单粒子翻转时的最小LET成为现行能量传递阀值LETTh(及SEU敏感度)，LET及LETTh的量纲均为MEV·cm2/Mg。器件SEU的敏感度主要取决于器件敏感单元的集合尺寸、版图结构和工艺，因此对器件SEU敏感度的评估可以利用已有的同一版图结构和同一工艺器件的试验数据或分析结果。
