当前位置: 首页 » 行业聚焦 » 行业动态 » 正文

台积电首次提及 1.4nm 工艺技术,2nm 工艺按计划 2025 年量产


  来源: IT之家 时间:2023-12-18 编辑:白芷
分享到:



据悉,台积电在近日举办的 IEEE 国际电子器件会议(IEDM)的小组研讨会上透露,其 1.4nm 级工艺制程研发已经全面展开。同时,台积电重申,2nm 级制程将按计划于 2025 年开始量产。



根据 SemiAnalysis 的 Dylan Patel 给出的幻灯片,台积电的 1.4nm 制程节点正式名称为 A14。IT之家注意到,目前台积电尚未透露 A14 的量产时间和具体参数,但考虑到 N2 节点计划于 2025 年底量产,N2P 节点则定于 2026 年底量产,因此 A14 节点预计将在 2027-2028 年问世。


在技术方面,A14 节点不太可能采用垂直堆叠互补场效应晶体管(CFET)技术,不过台积电仍在探索这项技术。因此,A14 可能将像 N2 节点一样,依赖于台积电第二代或第三代环绕栅极场效应晶体管(GAAFET)技术。


N2 和 A14 等节点将需要系统级协同优化,才能真正发挥作用,并实现新的性能、功耗和功能水平。


尚不清楚台积电是否计划在 2027-2028 年时间段为 A14 制程采用 High-NA EUV 光刻技术,考虑到届时英特尔(以及可能其他芯片制造商)将采用和完善下一代数值孔径为 0.55 的 EUV 光刻机,台积电使用这些机器应该相当容易。然而,由于高数值孔径 EUV 光刻技术将掩膜尺寸减半,其使用将给芯片设计人员和制造商带来一些额外的挑战。


当然,从现在到 2027-2028 年,很多事情都可能会发生变化,因此不能做出太多的假设。但可以肯定的是,台积电的科学家和开发人员正在致力于下一代生产节点的研发。

关键词:台积电 芯片 半导体    浏览量:797

声明:凡本网注明"来源:仪商网"的所有作品,版权均属于仪商网,未经本网授权不得转载、摘编使用。
经本网授权使用,并注明"来源:仪商网"。违反上述声明者,本网将追究其相关法律责任。
本网转载并注明自其它来源的作品,归原版权所有人所有。目的在于传递更多信息,并不代表本网赞同其观点或证实其内容的真实性,不承担此类作品侵权行为的直接责任及连带责任。如有作品的内容、版权以及其它问题的,请在作品发表之日起一周内与本网联系,否则视为放弃相关权利。
本网转载自其它媒体或授权刊载,如有作品内容、版权以及其它问题的,请联系我们。相关合作、投稿、转载授权等事宜,请联系本网。
QQ:2268148259、3050252122。


让制造业不缺测试测量工程师

最新发布
行业动态
行业聚焦
国际资讯
仪商专题
按分类浏览
Copyright © 2023- 861718.com All rights reserved 版权所有 ©广州德禄讯信息科技有限公司
本站转载或引用文章涉及版权问题请与我们联系。电话:020-34224268 传真: 020-34113782

粤公网安备 44010502000033号

粤ICP备16022018号-4