为了节省空间，会用 N 沟道和 P 沟道 MOSFET 等固态开关取代继电器，从而产生所有组件都在同一块电路板上、可以统一采用再流焊工艺组装的 PCB 设计。P 沟道 MOSFET 通过拉低其栅极电平而接通，通过将栅极连接至输入电压而断开。与 N 沟道 MOSFET 相比，P 沟道 MOSFET 在导通电阻相同时成本更高，而且其选择范围很窄，限于较大电流值 (高于 10A) 情况。N 沟道 MOSFET 是应对大电流的最佳选择，但是需要充电泵，以提高栅极电压，使其高于输入电压。例如，12V 输入需要 22V 栅极电压，即 MOSFET 栅极要高出输入 10V。图 2 显示了一个电源开关电路的实现。
图 2：用 N 沟道 MOSFET 实现电源轨的接通 / 断开
常见的电源总线也需要针对短路和过载故障提供保护，这类故障可能在任何板卡或模块中出现。为了实现电路断路器功能，可以比较图 1 中放大器的输出和一个过流门限，以断开图 2 中的栅极驱动器。这种方案取代了保险丝，因为保险丝反应速度慢、容限太宽且熔断后需要更换。为了节省电路板空间，人们希望在开关、保护和监视汽车电源总线中的功率流动时，采用集成式解决方案。
集成式电源控制与遥测解决方案
