虽然 LTC4282 控制单个电源，可是它为负载电流提供了两条平行的电流限制路径。采用传统单路控制器的大电流电路板使用多个并联的 MOSFET 以降低导通电阻，但是所有这些 MOSFET 都需要具有大的安全工作区 (SOA) 以安然承受过流故障，这是因为不能假设并联的 MOSFET 在电流限制期间分担电流。
另外，MOSFET 的选择范围在较高的电流水平上变窄，价格走高，而且 SOA 的水平跟不上 RDS(ON) 的下降。通过把电流分离到两条精准匹配的电流限制路径之中，LTC4282 可确保两组 MOSFET 即使在过载情况下也将均分电流。对于 100A 应用，每条路径的设计电流限值为 50A，因而把 SOA 要求减低了一半，拓宽了 MOSFET 的选择范围，并降低了其成本。这被称为一种 “匹配” 或 “并联” 配置，因为两条路径是采用相似的 MOSFET 和检测电阻器设计的。
此外，LTC4282 的双电流路径还用于使 MOSFET SOA 要求与导通电阻脱钩。大的 SOA 对于启动浪涌、电流限制和输入电压阶跃等具有巨大应力的情况是很重要的。当 MOSFET 栅极完全接通时，低的导通电阻可降低正常操作期间的电压降和功率损耗。不过，这些是存在冲突的要求，因为 MOSFET SOA 通常随着导通电阻的改善而变差。LTC4282 允许采用一条具有一个能处理应力情况之 MOSFET 的路径，和另一条具有低导通电阻 MOSFET 的路径。这被称为一种分级起动配置。
一般来说，在启动、电流限制和输入电压阶跃期间应力处理路径接通，而 RDS(ON) 路径则保持关断。RDS(ON) 路径在正常操作过程中接通以旁路应力路径，为负载电流提供一条低导通电阻路径，从而减少电压降和功率损耗。视启动时 MOSFET 应力大小的不同，有两种分级起动配置，即低应力 (图 4) 和高应力。
