半导体业正在逐渐变换到纳米制造工艺。纳米技术带来巨大的好处：几乎可以自由地增加晶体管数。另一方面，CMOS工艺已发生显著地变化，因此，纳米SOC出现新型的制造缺陷。第一个问题是在高频时会增加定时失效数。其他问题还包括串扰、时钟歪斜和同步、高速I/O参量失效，由于其模拟特性，它们对来自相邻数字芯核的注入噪声特别敏感。
为了解决相关的质量和测试成本问题，正在研究新的测试设计（DFT）技术和其他测试方法。特别是AC扫描和内装自测试（BIST）/环回技术，正在日益用于改善器件高速部分与定时有关的失效。
这些增强结构的测试开发，最后是否需要千兆赫数据率高速自动测试设备（ATE）？高速ATE系统中的高速功能和参量测试将来技术上是否继续需要？经济上是否合理等问题会随之而产生。
纳米制造缺陷及后果
改变缺陷特性的一个例证是大量增加与定时有关的故障。这往往在高频导致故障，如固定性故障。与DC故障比较，相关的定时问题只能通过高速测试来检测。
随着器件尺寸的减小，晶体管关键参量（如栅氧化层厚度、阀值电压，有效晶体管长度，漏电流）随之增大静态变率。这都会影响定时。
这在本质上会导致器件寄生参量非理想定标和非理想印刷板走线的变率。这些因素会使芯片速度和功耗导致大的变化。
电容串扰效应和RC内连延迟会进一步恶化小规模器件的高速性能。内连引起的传播延迟支配晶体管栅极延迟。这种效应会影响器件性能。
对于这些复杂的纳米器件，其传统高速功能测试是针对信号完整性问题（如IR压降，感性干扰，衬底耦合，电移），这些问题不可能用电流仿真技术展示。高速测试也可达到所需的定时关闭。
新纳米设计的产品直线上升期间，低产出往往是个问题，因为缺陷对应用比从前的技术有更强的依赖性。需要更全面的测试来达到产品器件所需的质量水平。与DFT能力一起，高速功能测试为了解新制造工艺固有的故障机构提供主要的反馈环路。
SOC设计中的同步问题
系统宽时钟同步是大量纳米设计的主要问题之一。当高速设计的最小时钟周期减小时，裸片尺寸仍保持大的，这是因为更多元件集成在同一裸片上。因此，与内连延迟大约成正比的有关时钟歪斜变成时钟周期的重要部分，而同步设计中的跨芯片通信需要一个时钟周期以上时间。
